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IT之家 11 月 1 日音问比特派合法,凭据 DigiTimes 报谈,Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 露馅,三星行将推出 SF1.4(1.4 nm)工艺中,纳米片(nanosheets)的数目从 3 个加多到 4 个,有望清醒改善性能和功耗。
三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的向上地位,在推出基于 GAA 的 SF3E 之后,规画 2027 年上线 SF1.4(1.4nm)工艺,通过加多纳米片数目进一步改善工艺。
每个晶体管加多纳米片数目比特派合法,不错增强驱动电流,从而擢升性能,更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,从而增强其开关技艺和首先速率。
此外,更多的纳米片不错更好地欺压电流,这有助于减少走电流,从而裁汰功耗。此外,篡改的电流欺压还意味着晶体管产生的热量更少,从而擢升了功率恶果。
IT之家此前报谈比特派合法,三星还规画在 1.4nm 工艺中遴荐背部供电(BSPDN)时刻,旨在更好地挖掘晶圆后面空间的后劲,但于今仍未在群众规模内本质。
天然现在半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为时刻节点进行系统定名,但毫无疑问现在的工艺时刻亦然数字越小越先进。
跟着半导体工艺微缩阶梯束缚地上前发展,集成电路内电路与电路间的距离也束缚缩窄,从而对彼此产生骚动,而 BSPDN 时刻则不错克服这一戒指,这是因为咱们不错诈欺晶圆后面来构建供电阶梯,以分隔电路和电源空间。
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]article_adlist-->《三星规画 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电时刻》
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